Samsung Foundry iş ünitesi lideri Dr. Siyoung Choi, Samsung Foundry’nin 2025’in ikinci yarısında 2nm üretim sürecini kullanarak seri çip üretme yolunda olduğunu açıkladı. Yarı iletken üretim süreciyle ilgili yeni bilgilerin paylaşıldığı duyuru, Samsung Foundry Forum 2021‘de yapıldı.
Samsung Foundry, öncü üretim teknolojileri geliştirme konusunda emin adımlarla ilerlerken Intel ve TSMC ile rekabet etmeye devam edeceklerini belirtti. Hatta 2nm üretim süreciyle Intel ve TSMC’ye karşı üstünlük sağlayabilirler. Dr. Siyoung Choi, bahis hakkında şunları söyledi:
“2nm’nin 2025’in ikinci yarısında seri üretime başlaması bekleniyor. Gerçekleştiğinde bu adım, GAA uygulamalı proses teknolojilerinin üçüncü kuşağını temsil edecek. Sonuç olarak, 3nm ile evvelki tecrübeler sayesinde sanayinin 2nm’ye geçişinin meselesiz olmasını bekliyoruz. Geleceğe hazırlık olarak Samsung Foundry, proses teknolojilerindeki yetkinliklerini güçlendirmeye devam edecek.”
Samsung, 2nm sınıfı üretim teknolojisinin özelliklerini açıklamıyor, lakin bu yeni üretim tekniği, evvelki jenerasyon süreçlere kıyasla birtakım performans, güç ve transistör yoğunluğu iyileştirmelerini beraberinde getirecek.
Samsung Foundry, 3GAE (3 nm gate all-around early) ve 3GAP (3 nm gate all-around plus) üretim süreçleriyle çok istikametli alan tesirli transistörlere (GAAFET’ler) geçişi duyuran birinci yonga üreticisi olmuştu. Yarı iletken devi, 2021 SFF’de bu teknolojinin 2022’nin birinci yarısında seri üretime hazır olacağını açıkladı. Birinci 3GAA test çipleri üretim bandından çıktı ve teknoloji seri üretime hazırlanıyor diyebiliriz.
Öte taraftan Intel, yeni kuşak Intel 7, Intel 4 ve Intel 3 nodunda FinFET’lere güvenecek ve şirket en erken 2024’ün ikinci yarısında GAA transistörlere (şirket terminolojisinde RibbonFET adında) geçecek. Bu ortada Intel, 2025’in ikinci yarısı için 2. jenerasyon GAA uygulama süreci olan 18A üretim teknolojisini hazırlıyor.
TSMC ise N4 (2022) ve N3 (2022/2) süreçlerinde FinFET transistör dizaynına bağlı kalacak ve sonrasında 2024 yılında beklenen N2 (2nm) fabrikasyon teknolojisi ile GAA transistörlerini tanıtması bekleniyor.
Yeni bir transistör yapısına geçiş yapmak, hem çip üreticileri hem de çip dizayncıları için her vakit zorluklar çıkarmıştır. Yeni geometrilerde artan değişkenlik, yeni yerleştirme metodolojileri, yer planı kuralları ve tanıtılan yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) araçları tarafından ele alınan yönlendirme kurallarını benimsemek gerekiyor. Buna ek olarak, yonga üreticilerinin yeni eserlerle randımanları nasıl en üst seviyeye çıkaracaklarını öğrenmeleri gerekiyor. Çip dizayncıları ayrıyeten yeni bir IP’ye muhtaçlık duyacak.
Samsung’un 2nm sınıfı MBCFET üretim sürecinin 2025 yılının ikinci yarısında (1 Temmuz) seri üretime girmesi bekleniyor. Ekim ayında birinci çip kümesinin gönderileceğini düşünürsek, 20226 yılının birinci yarısında bu teknolojiden yararlanan eserlerin piyasaya çıktığını görebiliriz.