Dünyanın en büyük yarı iletken şirketleri ortasında bulunan Samsung, bölümün birinci 512 GB DDR5 bellek modülünü geliştirdiğini duyurdu. DDR5 bellek modülünde TSV ismi verilen yeni bir teknolojiyi deneyen Samsung, 3D blok silikon yongaları birbirine bağlamak için bu teknolojiden faydalanacak. Böylelikle daha küçük bir alanda daha yüksek bellek istifleyebilecek olan Güney Koreli şirket, totalde 512 GB kapasitesine ulaşmak için 8 adet 16 GB DRAM'i kullanabilecek.
Samsung'un üreteceği yeni DRAM modülü yalnızca kapasite açısından değil, sürat açısından da yüksek olacak. Argüman edilene kadar yeni RAM modülleri 7200 Mbps performansına ulaşabilecekler.
Yüksek depolama kapasitesine sahip RAM modüllerinden harika hesaplama süreçleri, yapay zeka ve makine tahsili kullanımında ve bilgi tahlili üzere ağır bilgi süreç iş yüklerinde faydalanılacak.
Samsung, yüksek kapasite ve sürat üzerine yoğunlaşmışken öte yandan güç verimliliğini de atlamamış. Bunun için yeni bellek modüllerinde High-K Metal Gate (HKMG) teknolojisini kullanan şirket, böylelikle yüzde 13 daha az güç tüketmesini sağlayacak.