Bellek çipleri atom tekniği ile şarj olacak

[bilgiliadam]

IBM ’in yeni buluşu: Hafıza çipleri atom tekniği ile sorumluluk olacak! IBM ’li bilim adamları ufak iyon akımlarını kullanarak, çipleri çalıştırmanın yeni yolunu keşfettiler Atomik ölçek boyutlarını kavrayış ve teftiş edebilme yeteneği, günümüzün silikon bazlı veri teknolojileri yerine en ince ayrıntısına kadar ayrı ilkelere tarafından çalışan yeni malzemeler ve aygıtlar tasarlamanın önünü açıyor   IBM, malzeme biliminde atom düzeyinde çığır açan bir inovasyon duyurdu Bu buluş günümüzün silikon bazlı aygıtlarından daha eksik baskı kullanacak silinmeyen yeni bir alıcı bellek ve mantık çipi sınıfı yaratacak bir zemin oluşturmaya namzet   IBM laboratuvarlarındaki bilim adamları mevcut yarıiletken aygıtları çalıştıran geleneksel elektrik yöntemi yerine küçük iyon akımlarını kullanarak, çipleri çalıştırmanın yeni bir yolunu keşfettiler Bu küçük iyon akımları, insan beyninin alıştırma şekli olan, olaya dayalı işleyiş biçimini taklit edebilen yüklü atom akışları olarak nitelendirilebilir   Geçit elektrotu ve oksit kanalı üzerindeki IL damlacığıyla tipik iyonik değişken (IL) geçitli aygıtın optik görüntüsü Altın rengi koruyucu pedler, kablo bağlantıları yoluyla aygıtla bağlantı kurmak için kullanılır Sağda, kanalı (kahverengimsi sarı) ve altın elektrik kontaklarını (parlak sarı) gösteren aygıtın büyütülmüş görüntüsü bulunur Kanalın sağ ve solundaki kontaklar, kaynak ve boşaltma kontaklarıdır Diğer dört kontak, 4 tel direnci ve Hall ölçümleri için kullanılır  (Kaynak: IBM)   Günümüzde bilgisayarlar genel olarak CMOS süreç teknolojileriyle yapılan yarıiletkenleri kullanıyor ve uzun zamandır bu çiplerin her iki yılda bir performanslarının iki katına çıkacağı, boyutlarının küçüleceği ve maliyetlerinin azalacağı düşünülüyor Ancak CMOS çiplerini geliştirmek ve inşa etmek için gereken malzemeler ve teknikler, şipşak fiziksel ve performans sınırlarına yaklaşıyor Dolayısıyla da, yüksek performanslı ve düşük şiddet tüketimli aygıtlar geliştirecek yeni çözümlere karşın ihtiyaçların yakın dönemde ortaya çıkacağı öngörülüyor   IBM ’li bilim insanları, izolatör ve geçirgen haller aralarında metal oksitlerin tersine çevrilebilir biçimde dönüştürülmesinin muhtemel olduğunu gösterdi Bu dönüşüm, oksit değişken ara yüzlerindeki elektrik alanları kanalıyla oksijen iyonlarının eklenmesi ve kaldırılmasıyla sağlanıyor   Yapısı itibariyle izolatör olan oksit malzemeler, geçirgen duruma dönüştürüldüklerinde IBM deneyleri, aygıta verilen baskı kesildiğinde bile malzemelerin sabit metal halini koruduğunu kanıtladı Silinmeyen bu nitelik, yeni geliştirilen metotla çalışan aygıtları kullanan çiplerin verileri daha bereketli ve sabit elektrik akımlarıyla depolayacakları ve aktaracakları anlamına geliyor  Bu daimi özellik, bu yeni yöntemi kullanarak çalışan çipli cihazların verileri daha etkin ve durumtemelli olarak depolayabilecekleri ve kullanabilecekleri anlamına geliyor  Böylece cihazlardaki metal hali korumak için sabit elektrik akımlarında tutulmasına lüzum kalmıyor   Araç Gereç biliminde atom düzeyinde çığır açan bu yeniliği değerlendiren IBM Türk Teknoloji Lideri Kıvanç Uysal açıklıyor: “Atom ölçeğinin boyutlarını kavrayış ve kontrol edebilme yeteneğimiz, günümüzün silikon bazlı bilgi teknolojileri yerine ayrıntılarıyla öbür ilkelere kadar çalışan yeni malzemeleri ve aygıtları tasarlamamızı sağlar Maddenin halini tersine çevrilebilir biçimde denetlemek için mevcut tartı tabanlı aygıtlardan çok ufak iyon akımlarını kullanan aygıtlara aşmak, yeni tipte mobil cihazların ortaya çıkma potansiyelini de yaratıyor Üç boyutlu yepyeni mimarilerde bu aygıtların ve kavramların kullanılması, bilgi teknolojisi sektörü açısından da fazla önemli bir gelişmedir   Çığır açan bu yeniliğe gelmek için IBM araştırmacıları, yalıtkan bir oksit araç gereç olan vanadyum dioksite artı yüklü iyonlu akıcı elektrolit uyguladılar ve başarılı bir şekilde metale çevirdiler Orijinal yalıtkan durumuna döndürmek için olumsuz yüklü iyonlu bir akışkan elektrolit uygulanana değin madde, metal halini korudu   Uzun senelerdir metalden yalıtkana geçiş malzemeleri için metaller üstüne detaylı incelemeler yapılıyor Ancak, daha önce elde edilen sonuçların aksine IBM yoğun elektrik alanlarına maruz kaldığında oksit malzemenin durumundaki değişikliğin sebebinin metal oksitlere oksijen eklenmesi ve kaldırılması olduğunu ortaya çıkardı   İletkenden izolatör duruma geçiş, daha önceleri sıcaklığın değiştirilmesi veya dış basınç uygulanmasıyla gerçekleştirilmişti Ama her iki yöntemin de cihaz uygulamaları için uygun olmadığı görülmüştü sizlere bilgilihocamcom farkıyla sunulmuştur