Samsung, 2022'nin ilk yarısında 3 nm işlemcileri (Kod adı "3GAE") seri üretime başlatmayı planlıyor ayrıca ikinci nesil işlemcilerinde 2023 yılında gelmesi bekleniyor. Bu hafta şirket, yatırımcılarla yaptığı anlaşmada toplu üretime başlama yolunda olduklarını söyledi (Resmî belgeye buradan ulaşabilirsiniz).
Samsung yeni ve daha küçük işlemcilerle piyasası domine etmeye geliyor
Bu, Güney Koreli teknoloji devinin bu boyutlara ulaşan ilk işlemcileri olacak ve 3 nm süreci aynı zamanda firma adına çok yönlü alan etkili transistörleri (GAAFET) kullanan ilk şirket anlamıda taşıyor. Samsung, bu sürecin uygulanmasını 3 nm GAAFET transistörleri yani "Çok köprü kanallı alan etkili transistörler (MBCFET) olarak" adlandırıyor.
Başka bir deyişle, bu sistem Intel 4 ve TSMC'nin 5N'si ile aynı oluyor, ancak daha geniş kanallar ve daha düşük kaçak akım sayesinde daha iyi performans gösterebiliyorlar. Yeni işlemciler firma adına en büyük sorunu da otadan kaldırıyor. Bu sorun, Qualcomm gibi şirketlerin gelecekteki çipler için TSMC'ye gitmeseine sebep olan Samsung'un 4 nm işlemci serisinin en büyük sorunu olan verimi ortadan kaldırması denebilir.
Samsung çip konusunda çok ilerleme kaydetti
Intel ve TSMC gibi diğer firmalar ise önümüzdeki yıllarda GAAFET'i benimsemeye hazırlanıyor ve bu, onların şimdiye kadarki en maliyetli geçişi olabilir. Samsung'a gelince, MBCFET'in FinFET üretim süreçleri ve ekipmanı ile uyumluluğunun yalnızca geliştirmeyi hızlandırmakla kalmayıp aynı zamanda maliyetleri kontrol altında tuttuğunu da söylüyor.
Bu arada Samsung, bu yılın ilk çeyreğinde satabildiği kadar çok çip sattı ve DRAM ve NAND ürünlerine olan talebin önümüzdeki aylarda da güçlü kalmasını bekliyor. Şirket, mart ayında sona eren üç aylık dönemde 14.1 trilyon won (11.2 milyar $) işletme karı kaydetti ve bunun yarısından fazlası (6,7 milyar $) çip bölümünden geliyor.