Samsung ve IBM, yarı iletken çip tasarımında bir atılım gerçekleştirdiklerini duyurdu. ABD, San Francisco’daki IEDM konferansı sırasında konuşan iki teknoloji devi, transistörleri dikey olarak istiflemek için daha yüksek performans veya gelişmiş güç verimliliği sunan yeni bir teknik geliştirdiğini iddia ediyor.
Halihazırda yarı iletken yongaları, yan yana akan akım ile silikon yüzey üzerinde düz bir şekilde uzanıyor. IBM ve Samsung’un yeni tasarımı ile transistörler çip yüzeyine dik olarak oturacak ve akım dikey olarak akacak. Bu yenilik, şirketlerin Moore Yasası performans sınırlamalarını atlamasına veya daha düşük güç tüketimi nedeniyle enerji tasarrufuna yardımcı olacak.
Bahsi geçen yeni teknolojiye VTFET (Diket Aktarım Alan Etkili Transistörler) adı verilmiş. Şirketler, yeni çip tasarım teknolojisinin FinFET tasarımlarına kıyasla 2 kat daha fazla performans veya %85 daha fazla güç verimliliği sunmasını bekliyor. Kripto madenciliği gibi belirli yoğun enerji isteyen görevler için yeni teknoloji güç açısından son derece verimli olabilir. Bu da daha az çevresel etkiye yol açmak anlamına geliyor.
IBM ve Samsung, ticari ürünlerde VTFET’i ne zaman görebileceğimizi açıklamış değil. Bununla birlikte, Intel dahil olmak üzere diğer rakip firmalar, angstrom ölçekli çipler üzerinde çalışıyor. Intel, bu tür çipleri 2024’ün sonuna kadar “Intel 20A” markası altında piyasaya sürmeyi planlıyor.
Son olarak yarı iletken çip üretimi için yenilik çalışmalarının bununla sınırlı kalmadığını ve çeşitli teknolojilerin geliştirildiğini belirtelim.